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国際会議参加 投稿論文 国内学会 主な研究プロジェクト
::国際会議参加::

　
2016年ー現在
　
  1. IEEE-2020 The 27th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD), 31 Oct-07 Nov, 2020, Boston ,USA (online conference)

    “Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis

  2. The 2019 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 18-21 Nov, 2019, Chicago,USA

    “Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE

  3. IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,　10-17 Nov, 2018, Sydney, Australia

    “Advances in the Crystal Growth and Device Fabrication Techniques of Thick CdTe/Si Epitaxial Layers based Nuclear Radiation Detectors”(Invited Talk)

  4. IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,　10-17 Nov, 2018, Sydney, Australia

    “MOVPE Growth and Characterization of Iodine-Doped n-CdTe Layers on (211)Si Substrates Grown at High Substrate Temperatures”(Poster presentation)

  5. IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,　23-27 Oct, 2017, Atlanta, USA

    “Development of Fine-Pixel X-ray Imaging Arrays using CdTe/n+-Si Epitaxial Layers”(Invited Talk)

  6. IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors,　23-27 Oct, 2017, Atlanta, USA

    “Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates”(Poster presentation)

  7. IEEE 2016- 23rd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, October 31- November4, 2016, Strasbourg, France

    “Recent Progress in CdTe/n+-Si Epitaxial Layer Based Heterojunction Diode-Type Gamma Detectors”(Invited Talk)

  8. IEEE 2016- 23rd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, October 31- November4, 2016, Strasbourg, France

    “Surface Processing of CdTe Crystals in H2/Ar Electron Cyclotron Resonance Plasma”(poster presentation)

  9. The 2016 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 17-20 Oct, 2016, Baltimore, USA

    “Characterization of (211) and (100) CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy”

  10. The 2016 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, 17-20 Oct, 2016, Baltimore, USA

    “Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas”
2011年ー2015年
　
  1. IEEE 2015- 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, November1-7, 2015, San Diego, USA

    “Characterization of Large-Area Spectroscopic Imaging Array Fabricated Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layer on Si Substrate”

  2. IEEE 2015- 22nd International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, November1-7, 2015, San Diego, USA

    “Study of CdTe Surface Processed with Hydrogen Bromide Based Etching Solution”(Poster presentation)

  3. IEEE 2013- 20th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 27 October-2 November, 2013, COEX, Seoul, Korea

    “Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates(Invited Talk)”

  4. The 2013 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, October 1-3, 2013, Chicago, USA

    “Development of nuclear radiation detectors using thick single crystal CdTe layers grown on (211) p+-Si substrates by MOVPE”

  5. 16th International Conference on II-VI Compounds, Sept. 9-13, 2013, Nagahama, Japan

    “Vapor-Phase Epitaxial Growth of Thick Single Crystal CdTe on Si Substrate for X-Ray, Gamma-Ray Spectroscopic Detector Development”

  6. The 2012 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, November 27-29, 2012, Seattle, USA

    “Post-Growth Annealing of CdTe Layers Grown on Si Substrtaes by MOVPE”

  7. IEEE 2012- 19th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 27 October-3 November, 2012, Anaheim, USA

    “MOVPE Growth of Thick Single Crystal CdZnTe Epitaxial Layers on Si Substrate for Nuclear Radiation Detector Development (Invited Talk)”

  8. 15th International Conference on II-VI Compounds, August 21-26, 2011, Mayan Riviera, Mexico

    “Fabrication of Radiation Imaging Detector Arrays Using MOVPE Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate”

  9. The 2011 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, October 4-6, 2011, Chicago, USA

    “Dark Current Characteristics of Radiation Detector Array Developed Using MOVPE Grown Thick CdTe Layers on Si Substrate”

  10. IEEE 2011- 18th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 23-29 October, 2011, Valencia, Spain

    “Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates (Invited Talk)”
2006年ー2010年
　
  1. The 2010 International Symposium on Optoelectronic Materials and Devices, July 12-13, 2010, Chicago, USA

    “Hetero-epitaxial Growth and Doping Properties of CdTe Layers by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Invited Talk)”

  2. 7th International Conference on Thin Film Physics and Applications, September 25-26, 2010, Shanghai, China

    “Development of Radiation Imaging Devices with Energy Discrimination Capability using Thick CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (Invited Talk)”


  3. Material Research Society Spring Meeting, 13-17 April, 2009, San Francisco, USA

    “Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films (Invited Talk)”

  4. The 2009 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, October 6-8, 2009, Chicago, USA

    “Electrical properties of halogen-doped CdTe layers on Si substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy”


  5. 2008 Symposium on Radiation Measurements and Applications(SORMA WEST 2008), June 2-5, Berkery, USA

    "MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication"

  6. IEEE2008-16th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gammma-Ray Detectors, October 19-25, Dresden, Germany

    "Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE"(invited)

  7. The 2007 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, October 30-November 1, Baltimore, USA

    "Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma Ray Detectors"

  8. IEEE 2006- 15th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 29 October-4 Novenber, 2006, San Diego, USA

    "Characterization of CdTe/n+-Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Imaging Detectors";(Invited)

  9. The 2006 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, October 10-12, 2006, Newport Beach, California, USA

    "Excimer-Laser Etching Process of CdTe Crystals for Formation of Deep Vertical Trenches"
2002年ー2005年
　
  1. The 2005 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, September 20-22, 2005, Cambridge, Massachusetts, USA

    "Direct growth of high-quality thick CdTe epilayers on Si (211)substrates by metalorganic vapor phase epitaxy for nuclear radiation detection and imaging"

  2. IEEE 2004- 14th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 16-23 October, 2004, Rome, ITALY

    "Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ";(Invited)

    "Study of Multi-Electrodes Structure in CdTe Nuclear Radiation Detectors"

  3. The 2004 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, October 5-7, 2004, Chicago, Illinois, USA

    "Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on n+-GaAs Substrates"

  4. 12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), June 21-25, 2004, Hamamatsu, Japan

    "MOVPE Growth of Cd1-xZnxTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates with Full Control of Zn-Composition "

    "Epitaxial Growth and Characterization of Thick CdTe Layers on Si Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy"

  5. 11th International Conference on II-VI Compounds, September 22-26, 2003, Niagara Falls, New York, USA

    "MOVPE Growth of Thick CdTe Heteroepitaxial Layers for X-Ray Imaging Detectors"

    "Surface Processing of CdTe Crystals by an Excimer Laser and its Application in Fabricating Nuclear Radiation Detectors"

  6. The 2003 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, September 17-19, 2003, New Orleans, Louisiana, USA

    "Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-Ray Imaging Detector"

  7. IEEE 2003- 13th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 20-24 October, 2003, Portland, Oregon, USA

    "Development of CdTe Nuclear Radiation Detectors for Spectroscopy and Imaging Applications"
  8. The 2002 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, November 13-15, 2002, Town & Country Resort, San Diego, USA

    "MOVPE Growth and Characterization of Thick(100) CdTe Layers on (100)GaAs and (100)GaAs/Si Substrates"
::投稿論文::

　
2016年-現在
　
  1. “Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE”, J. Elect. Materials, vol.49, No. 11, pp. 6996-6999, 2020.11 (DOI: 10.1007/s11664-020-08420-3)
  2. “Synchrotron characterization of high-Z, current-mode x-ray detectors”, Review of Scientific Instruments, vol. 91, issue 2, 023509, 2020.02 ( https://doi.org/10.1063/1.5139403)
  3. “Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Thick and Uniform Single Crystal CdTe Epitaxial Layers on (211) Si Substrates for X-ray Imaging Detector Development”, J. Elect. Materials, vol. 48, no. 12, pp. 7680-7685, 2019.12 (DOI: 10.1007/s11664-019-07601-z)
  4. “Characterization of Fine-Pixel X-ray Imaging Detector Array Fabricated by Using Thick Single-Crystal CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, no. 1, pp. 518-523, 2019.01. DOI: 10.1109/TED.2018.2883325
  5. “Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates”, IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 65, No. 8, pp. 2325-2328, 2018.08. (DOI:10.1109/TNS.2018.2855751)
  6. “Development of Large-Area CdTe/n+-Si Epitaxial Layer Based Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detector Arrays”, IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 65, no. 4, pp. 1066-1069, 2018.04 ( DOI:10.1109/TNS.2018.2812154)
  7. “Characterization of (211) and (100) CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor- Phase Epitaxy”, J. Elect. Materials, vol. 46, no. 11, pp. 6704-6708, 2017.10 (DOI: 10.1007/s11664-017-5703-6)link
  8. “Dry Etching Characteristics of MOVPE Grown CdTe Epilayers in CH4, H2, Ar ECR Plasmas”, J. Elect. Materials, vol. 46, no. 9, pp. 5400-5404, 2017.9. (DOI: 10.1007/s11664-017-5528-3)link
  9. “Improving the Performances of CdTe Gamma Ray Detectors by H2/Ar ECR Plasma Processing” IEEE Electron Device Letter, vol. 37, No.8, pp. 1059-1062, 2016.8. (DOI: 10.1109/LED.2016.2580675)
2011年-2015年
　
  1. “Surface Processing of CdTe Detectors Using Hydrogen Bromide-Based Etching Solution” IEEE Electron Device Letter, vol. 36, issue 8, pp. 856-858, 2015(DOI: 10.1109/LED.2015.2450835)
  2. “Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates”IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 61, no. 5, pp. 2555-2558, 2014 (DOI: 10.1109/TNS.2014.2347374)
  3. “Development of Nuclear Radiation Detectors by Use of Thick Single-Crystal CdTe Layers Grown on (211) p+-Si Substrates by MOVPE”, J. Elect. Materials, vol. 43, no. 8, pp. 2860-2863, 2014(DOI: 10.1007/s11664-014-3132-3)
  4. “Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for x-ray, gamma ray spectroscopic detector development”, phys. stat. sol ( c), vol. 11, no. 7-8, pp. 1333-1336, 2014(DOI:10.1002/pssc.201300559)
  5. “Charge transport properties of p-CdTe/n-CdTe/n+-Si diode-type nuclear radiation detectors based on metalorganic vapor-phase epitaxy-grown epilayers” J. Appl. Phys., vol. 114, issue 16, 164510, 2013. (DOI: 10.1063/1.4828479)
  6. “Postgrowth Annealing of CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy”, J. Elect. Materials, vol. 42, no. 11, pp. 3125-3128, 2013 (DOI: 10.1007/s11664-013-2680-2)
  7. “MOVPE Growth of Thick Single Crystal CdZnTe Epitaxial Layers on Si Substrates for Nuclear Radiation Detector Development”, IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 60, no. 4, pp. 2859-2863, 2013(DOI: 10.1109/TNS.2013.2263841)
  8. “Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrtaes”, IEEE 2013- 20th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors (RTSD) Conference Record, R13-1(invited paper)
  9. “Fabrication and Characterization of X-Ray Spectroscopic Imaging Arrays Based on Thick Single-Crystal CdTe Epitaxial Layers”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, issue 12, pp. 3450-3455, (2012)　(DOI: 10.1109/TED.2012.2222413)
  10. “Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates”, IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 59, no. 6, pp. 3201-3204, (2012)
  11. “Dark Current Characteristics of a Radiation Detector Array Developed Using MOVPE-Grown Thick CdTe Layers on Si Substrate”, J. Elect. Materials, vol. 41, no. 10, pp. 2754-2758, (2012)
  12. “Fabrication of radiation imaging detector arrays using MOVPE grown thick single crystal CdTe layers on Si substrate”, phys. stat. solidi (c), vol. 9, No. 8-9, pp. 1848-1851, (2012)
  13. “MOVPE Growth of Thick Single Crystal CdZnTe Epitaxial Layers on Si Substrate for Nuclear Radiation Detector Development”, IEEE 2012- 19th RTSD Conference Record, R07-1, pp. 4212-4215 (Invited paper), (2012)
  14. “Post-Growth Annealing of CdTe Layers Grown on Si Substrtaes by MOVPE”, The 2012 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Extended abstract, pp. 131-134 (2012)
  15. “放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発", 光アライアンス　(Optical Alliance) vol. 23, no. 6. pp. 33-36, (2012) (日本工業出版　依頼解説)
  16. “Development of radiation imaging devices with energy discrimination capability using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy”, Proc. SPIE , vol. 7995, 79952T1-6, (2011)
  17. “Dark Current Characteristics of Radiation Detector Array Developed Using MOVPE Grown Thick CdTe Layers on Si Substrate”, The 2011 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Extended abstract pp. 163-166, (2011)
  18. “Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates”, IEEE 2011- RTSD Conference Record R05-1, pp. 4510-4513 (invited paper), (2011)
2006年-2010年
　
  1. “Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Layers on Si Substrates Grown by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy”, J. Elect. Materials, vol. 39, pp. 1118-1123, (2010)
  2. “CdTe 厚膜のMOVPE 成長と放射線検出器への応用特性”, 放射線, vol. 36, pp. 41-48, (2010)
  3. "MOVPE Growth of CdTe on Si Substrates for Gamma Ray Detector Fabrication", IEEE Trans. Nucl. Sci. vol. 56, no. 3, pp.836-840, (2009)
  4. “Electrical Properties of Iodine-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE”, IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 56, no. 4, pp. 1731-1735, (2009)
  5. “Development of X-ray, Gamma Ray Spectroscopic Detector Using Epitaxially Grown Single Crystal Thick CdTe Films”, Mat. Res. Soc. Symp. Proceeding, vol. 1164, page 1164-L05-01 (2009) (invited paper)
  6. "Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detectors", J.Elect.Materials, Vol.37, pp.1391-1395 (2008)
  7. "Electrical Properties of Halogen-Doped CdTe Epitaxial Films on Si Substrates Grown by MOVPE", IEEE 2008-RTSD Conference Record R07-2 (invited)
  8. "Excimer Laser Etching Process of CdTe Crystals for Formation of Deep Vertical Trenches", J.Elect.Materials, Vol.36, pp.837-840 (2007)
  9. "Characterization of CdTe/n+-Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Detectors", IEEE Trans. Nucl Sci., Vol.54, No.4 pp817-820 (2007)
  10. "Fabrication and Characterization of MOVPE-Grown CdTe-on-Si Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detectors", The 2007 US Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials, Extended Abstracts, pp39-42 (2007)
  11. "Development of Heterojunction Diode-Type Gamma Ray Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe on n+-Si Substrates", IEEE Electron Device Letters, Vol27(11), pp.890-892 (2006)
  12. "Characterization of CdTe/n+-Si Heterojunction Diodes for Nuclear Radiation Imaging Detectors", IEEE 2006 15th Intern. Workshop on R-T. Semicon. X-and Gamma Ray Detectors(RTSD) Conference Record(Invited), pp.R14-8 (2006)
  13. "Direct Growth of High-Quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging", Journal of Elect.Materials, Vol35(6), pp.1257-1261 (2006)　
  14. "有機金属気相成長法によるCdTe厚膜を用いた大面積放射線画像検出器の研究", 放射線, Vol32(1), pp.3-9 (2006)
2000年-2005年
　
  1. "Control of Zn Composition(0＜x＜1)in Cd1-xZnxTe Epitaxial Layers on GaAs Substrates Grown by MOVPE", Applied Surface Science, Vol.244, pp. 347-350 (2005)
  2. "Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Resolution Capability Based on CdTe-n+-GaAs Heterojunction Diodes", IEEE Electron Device Letter vol.26, pp.8-10 (2005)
  3. "Direct growth of high-quality CdTe epilayers on Si (211) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy", Journal of Crystal Growth Vol.284, pp.15-19 (2005)
  4. "Development of Nuclear Radiation Detectors With Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy", IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.52, No.5, pp.1951-1955 (2005)
  5. "Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on n+-GaAs Substrates", J. Elect. Materials, Vol.34, No.6, pp.815-819 (2005)
  6. "Direct Growth of High-quality Thick CdTe Epilayers on Si(211) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Nuclear Radiation Detection and Imaging", Ext. Abstract 2005 US Workshop on the Phys. Chem. II-VI Materials, pp.73-76 (2005)
  7. "Optical Emission Characteristics of Ablation Plasma Plumes During The Laser-Etching Process of CdTe", J. Elect. Materials, Vol34, pp.1428-1431 (2005)
  8. "Growth of Thick CdTe Epilayers on GaAs Substrates and Evaluation of CdTe/n+-GaAs Heterojunction Diodes for an X-ray Imaging Detector", J. Elect. Materialss, Vol33, pp. 645-650 (2004)
  9. "Surface Processing of CdTe Crystals by an Excimer Laser and its Application in Fabricating Nuclear Radiation Detectors", Phys. Sta. Sol.(c) vol.1, No.4, pp.1071-1074 (2004)
  10. "MOVPE Growth of thick CdTe Heteroepitaxial Layers for X-ray Imaging Detectors", Phys. Sta. Sol.(c) vol.1, No.4, pp.1075-1078 (2004).
  11. "Development of Nuclear Radiation Detectors with Energy Discrimination Capabilities Based on Thick CdTe Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy", IEEE 2004 14th Intern. Workshop on R-T. Semicon. X-and Gamma Ray Detectors(RTSD) Conference Record(Invited), pp.R1-3 (2004)
  12. "Development of Nuclear Radiation Detectors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on n+-GaAs Substrates", Ext. Abstract 2004 US Workshop on Phys. Chem. II-VI Materials, pp.99-102 (2004)
  13. "Development of CdTe Nuclear Radiation Detectors for Spectroscopy and Imaging Applications", IEEE 2003 -RTSD Conference Record R2-2.
  14. "Energy Discriminated Imaging for Gamma-ray by 128 Pixels CdTe High-Energy Radiation Imaging Device", IEEE 2003 -RTSD Conference Record R17-4.
  15. "MOVPE growth and characterization of thick (100) CdTe layers on (100) GaAs and (100) GaAs/Si substrates", J. Elect. Materials, vol. 32, pp. 728-732 (2003).
  16. "Influence of laser irradiation and laser-induced In doping on photoluminescence of CdTe crystals", Semicond. Sci. Technol. vol. 18, pp. 560-565, 2003.
  17. "Diode type CdTe strip and linear array detectors for gamma-ray detection and imaging", IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 49, pp. 2250-2255, 2002.
  18. "Growth Conditions of Iodine doped n+-CdTe Layers in MOVPE", J. Elect. Materials,vol. 31, pp.785-790, 2002.
  19. "Excimer laser processing for the integrated gamma-ray detectors", SPIE Proc. vol. 4784, pp. 305-314, 2002.
  20. "p-i-n CdTe 128-pixel detector for gamma-ray imaging fabricated by excimer laser processing", SPIE Proc. vol. 4784, pp. 259-268, 2002.
  21. "Growth and characterization of thick (100) CdTe layers on (100) GaAs and (100) GaAs/Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, pp. L1109-L1111, 2002.
  22. Stability issues of high-energy resolution diode type CdTe nuclear radiation detectors in a long-term operation", Nucl. Instr. Methods. Phys. Research A, vol. 491, pp.168-175, 2002.
  23. Low-temperature growth, doping of CdTe epilayers on CdTe substrates in a remote-plasma-assisted MOCVD system for the nuclear radiation detector applications", physica status solidi b, vol. 229, pp. 83-87, 2002.
  24. A new fabrication technique of CdTe strip detectors for gamma-ray imaging and spectroscopy", physica status solidi b, vol. 229, pp. 1103-1107, 2002.
  25. "Growth and Characterization of Cubic-CdS Layer on (100) GaAs in Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy", J. Crys. Growth, vol.222, pp.477-481, 2001.
  26. "Multi-pixel p-i-n CdTe array fabricated by laser processing", Radiation, vol. 27, pp. 23-28, 2001. (Division of Radiation Science, The Japan Society of Applied Physics, in Japanese)
  27. "Shallow junction formation on p-like CdTe crystals by indium diffusion using excimer laser annealing", J. Elect. Materials, vol. 30, pp. 911-916, 2001.
  28. "Excimer laser doping techniques for II-VI semiconductors", Applied Surface Science, vol. 175/176, pp. 462-467, 2001.
  29. "High-resolution CdTe nuclear radiation detectors in a new M-p-n design", Nucl. Instr. Methods. Phys. Research A, vol. 458, pp. 478-483, 2001.
  30. "Fabrication of CdTe strip detectors for imaging applications", Nucl. Instr. Methods. Phys. Research A, vol. 458, pp. 339-343, 2001.
  31. "Growth Characteristics of CdZnTe Layers in Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy", J. Crys. Growth, vol. 214/215, pp. 19-24, 2000.
  32. "Low-temperature processing heavily doping by epitaxial growth and laser annealing for the fabrication of CdTe gamma-ray detectors", SPIE Proc. Vol. 4141, pp. 226-234, 2000.
  33. "Performance of CdTe Gamma-Ray Detectors Fabricated in a New M-pi-n Design", J. Crys. Growth. vol. 214/215, pp. 1116-1120, 2000.
  34. "Pattern doping on CdTe by excimer laser irradiation", J. Crys. Growth, vol. 214/215, pp. 520-523, 2000.
  35. "Low temperature growth and n-type doping of CdTe by remote-plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition method", VACUUM, vol. 59, pp. 678-685, 2000.
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電子情報通信学会 応用物理学会

- 電子情報通信学会 (IEICE) -

　
電子情報通信学会(IEICE)
　
  1. “MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発”
    舘 忠裕，犬塚 博章, 藤村 直也，近藤 嵩輝，難波 秀平，村松 慎也，安形 保則，ニラウラ マダン，安田 和人, 2011年5月

  2. “MOVPE法による大面積CdTe　X線・γ線画像検出器に関する研究―Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討”
    後藤達彦、江川鍛、小川博久、土用下尚外、福田浩幸、犬塚博章、舘忠裕、藤村直也、安形保則、ニラウラ　マダン、安田和人, 2010年5月

  3. “MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)”
    渡邊　彰伸，甲斐　康寛，山田　航，市橋　果，米山　知宏，加藤　大裕，松本　和也，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2008年5月

  4. “MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II)”
    市橋　果，山田　航，甲斐　康寛，渡邊　彰伸，中西　智哉，岡　寛樹，仲島　甫，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2008年5月

  5. “MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)”
    大村　翔洋，中村　公二，田中　龍一，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2007年5月

  6. “MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(II)”
    箕浦　晋平，大橋　寛之，新宮　一輝，横田　昌大，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2007年5月

  7. “MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器”
    大西 浩文，江口 和隆，高橋 博之，野田 光太郎，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2005年5月

  8. “MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価”
    江口 和隆，大西 浩文，高橋 博之，野田 光太郎，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2005年5月

  9. “MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜成長層の電気特性評価”
    中西 祐太郎，内田 圭，馬渕 崇，草間 啓年，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2003年5月

  10. “MOVPE法によるGaAs/Si基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価”
    森下 浩志，石黒 智章，川内 康弘，馬淵 崇，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2002年5月

  11. “MOVPE法によるGaAs基板上CdTe厚膜の成長と電気特性評価”
    川内 康弘，石黒 智章，森下 浩志，馬淵 崇，安形 保則，マダン ニラウラ，安田 和人, 2002年5月

  12. “MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性”
    増田 祐輔，富田 泰光，石黒 智章，川内 康弘，保木 一樹，森下 浩志，安田 和人, 2001年5月

  13. “Growth characteristics of CdS layers on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy”
    H.B.Samion , Yasumitsu Tomita , Yusuke Masuda , Kazuhito Yasuda, 2000年5月




- 応用物理学会 (JSAP) -
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応用物理学会(JSAP)
2015年-現在
　
  1. “MOVPE法による(211)Si基板上のCdTe層の成長室内熱処理検討”、 〇藤井　成弥、田村 怜也、鳥居 稜、東良 悠喜、小林　竜大、後藤　颯汰、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人、 2020年3月13日、2020年　第67回応用物理学会 春季学術講演会、上智大学四谷キャンパス（13a-D215-5）
  2. “MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [Ⅰ]”、 〇鳥居 稜、森 拓郎、田村 怜也、東良 悠喜、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人、 2019年3月10日、2019年　第66回応用物理学会 春季学術講演会、東京工業大学　大岡山キャンパス（10a-W922-3）
  3. “MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [II]”、 〇東良 悠喜、森 拓郎、田村 怜也、鳥居 稜、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人、 2019年3月10日、2019年　第66回応用物理学会 春季学術講演会、東京工業大学　大岡山キャンパス（10a-W922-4）
  4. “Development of X-ray Imaging Sensors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on Si Substrates”, 〇M. Niraula+, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, and Y. Agata, 2018年9月21日、2018年　秋季　第79回応用物理学会学秋季学術講演会、名古屋国際会議場　(21p-224B-5)
  5. “MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層の膜厚均一化に関する検討”、〇田村怜也、森拓郎、鳥居稜、東良悠喜、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人、2018年9月21日、2018年　秋季　第79回応用物理学会学秋季学術講演会、名古屋国際会議場　(21p-431B-5)
  6. “MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のアニール処理の検討”、〇森拓郎、小澤潤也、坪田眞太郎、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人、2018年3月20日、2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、西早稲田キャンパス（20a-F210-3）
  7. “ECR プラズマによる CdTe 結晶表面処理の検討”、〇山口大貴、小島將弘、 北川翔三、小澤潤也、坪田眞太郎、 安形保則、ニラウラ　マダン、 安田和人、2017年3月16日、2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会 、 パシフィコ横浜　（16p-E204-4）
  8. “MOVPE 法による(211)Si 基板上の CdTe 層を用いた大面積放射線検出器アレイの作製”、〇小澤潤也、 北川翔三、小島將弘、坪田眞太郎、山口大貴、安田和人、ニラウラ・マダン、安形保則、2017年3月16日、2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会 、 パシフィコ横浜　（16p-E204-5）
  9. “MOVPE 法による(211)Si 上の CdTe 成長層の方位関係の検討”、〇坪田眞太郎、小島將弘、北川翔三、小澤潤也、山口大貴、安形保則、ニラウラ・マダン、安田和人2017年3月16日、2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会 、 パシフィコ横浜　（17a-513-8）
  10. “MOVPE法による(211) Si基板上のCdTe層のフォトルミネッセンス特性”、 〇小島 將弘、北川 翔三、小澤　潤也、坪田 眞太郎、山口　大貴、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則、2016年9月13日、2016年　秋季　第77回応用物理学会学秋季学術講演会、朱鷺メッセ（新潟コンベンションセンター）(13p-D61-1)
  11. “MOVPE法による(211)および(100)Si基板上のCdTe成長層のフォトルミネッセンス特性”, 〇北川 翔三、神野 悟、伊藤 祐葵、杉本 宗一郎、山崎 大輔、小島 將弘、坪田 眞太郎、安形 保則、ニラウラ マダン、安田 和人, 2016年 3月 22日、 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会、 東工大　大岡山キャンパス(22p-H116-1)
  12. “MOVPE法による(211)Si基板上のAsドープCdTe層のフォトルミネッセンス特性”, 〇小島 將弘、伊藤 祐葵、神野 悟史、杉本 宗一郎、山崎 大輔、北川 翔三、坪田 眞太郎、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則, 2016年 3月 22日、 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会、 東工大　大岡山キャンパス(22p-H116-2)
  13. “MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のエッチピット評価”, 〇坪田 眞太郎、杉本 宗一郎、伊藤 祐葵、山崎 大輔、神野 悟史、小島 將弘、北川 翔三、安田 和人、ニラウラ マダン、安形 保則, 2016年 3月 22日、 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会、 東工大　大岡山キャンパス(22p-H116-3)
  14. “HBr系エッチング液によるCdTe検出器の表面処理の検討”, 〇神野悟史、鈴木悠太、高井紀明、塚本雄大、松本雅彦、伊藤祐葵、杉本宗一郎、山崎大輔、北川翔三、小島將弘、安形保則、 マダン　ニラウラ、安田和人、2015年3月13日、2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学　湘南キャンパス （13p-A19-3）
2010年-2014年
　
  1. “MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究　～ p-CdTe/n-CdTe/n+-Si ダイオードにおける輸送特性の検討　～”〇松本雅彦、鈴木悠太、高井紀明、塚本雄大、伊藤祐葵、杉本宗一郎、神野悟史、山崎大輔、 安形保則、 マダン　ニラウラ、安田和人、2014年9月17日、2014年　秋季　第75回応用物理学会学秋季学術講演会、北海道大学　札幌キャンパス　（17p-A12-11）
  2. “MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つ X線・γ線画像検出器の開発 (III) 〜p+-Si 基板上のCdTe層を用いた検出器の特性〜"、 〇高井紀明、山下隼、和嶋悠人、 鈴木悠太、塚本雄大、塚本祐生、 松本雅彦、伊藤祐葵、神野悟史、杉本宗一郎、山崎大輔、 安形保則、 ニラウラ マダン、安田和人, 2014年3月20日、2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学相模原キャンパス （20a-F1-14）
  3. “MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XIII) 〜CdTe/Si成長層のアニール処理の検討〜", 〇和嶋悠人, 近藤嵩輝，難波秀平, 村松慎也, 山下隼，鈴木悠太, 高井紀明, 塚本祐生, 塚本雄大, 松本雅彦, 安形保則， ニラウラ マダン，安田和人, 2013年3月27日、2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学（27p-G19-8）
  4. “MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XIII) 〜CdTe/Si成長層高品質大面積化の検討〜", 〇山下隼， 近藤嵩輝，難波秀平, 村松慎也, 和嶋悠人, 鈴木悠太, 高井紀明, 塚本祐生, 塚本雄大, 松本雅彦, 安形保則， ニラウラ マダン，安田和人, 2013年3月27日、2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学（27p-G19-9）
  5. “Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates”, 〇M. Niraula, K. Yasuda, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, H. Yamashita, Y. Wajima, Y. Agata, 2013年3月30日、2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学（30a-A6-5）
  6. “MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜CdZnTe層成長と特性評価〜” 〇難波秀平, 近藤嵩輝，村松慎也, 山下　隼，和嶋悠人，安形保則，Madan Niraula，安田和人, 2012年9月14日、2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学
  7. “MOVPE法による大面積CdTe X線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜検出器アレイの暗電流特性(I)〜”、〇難波秀平，舘　忠祐，犬塚博章，藤村直也，近藤嵩輝，村松慎也，山下　隼，和嶋悠人，安形保則，Madan Niraula，安田和人、2012年3月18日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学
  8. “MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(XI) 〜検出器アレイの暗電流特性(II)〜”、〇舘　忠裕，難波秀平，犬塚博章，藤村直也，近藤高輝，村松慎也，和嶋悠人，山下　隼，安形保則，マダン ニラウラ，安田和人、2012年3月18日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学
  9. “MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(I) 検出器アレイの作製”、〇近藤嵩輝，犬塚博章，舘　忠裕，藤村直也，難波秀平，村松慎也，山下　隼，和嶋悠人，安形保則，マダン ニラウラ，安田和人、2012年3月17日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学。17a-C4-10
  10. “MOVPE法によるCdTe/Si厚膜層を用いたエネルギー識別能力を持つX線・γ線画像検出器の開発(II) 〜検出器アレイの放射線検出特性の検討〜” 〇藤村直也、犬塚博章、舘　忠裕、藤村直也、近藤嵩輝、難波秀平、山下　隼、和嶋悠人、安形保則、マダン ニラウラ、安田和人、2012年3月17日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会、早稲田大学。17a-C4-11
  11. “MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(X)～アレイ型検出器の暗電流低減及び高性能化への検討(I)～"、〇舘忠裕、藤村直也、江川、小川、後藤、福田、安田、土用下、ニラウラ、安形、犬塚、２０１１年３月２７日、２０１１年春季第５８回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学
  12. “MOVPE法による大面積CdTeX線・γ線画像検出器に関する研究(X)～アレイ型検出器の暗電流低減及び高性能化への検討(ＩＩ)～"、〇藤村直也、江川、小川、後藤、土用下、福田、犬塚、舘忠裕、安形、ニラウラ、安田、２０１１年３月２７日、２０１１年春季第５８回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学
  13. “MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究（VII）、Si基板上の厚膜 CdTe層高品質化の検討"、〇小川、岡、加藤、仲島、中西、松本、米山、江川、後藤、土用下、福田、安形、ニラウラ、安田、２０１０年３月１９日、２０１０年春季第５７回応用物理学関係連合講演会、東海大学