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安田 和人
(ヤスダ カズヒト)
YASUDA KAZUHITO
　
メールアドレス
　
所属
　
学歴
1974年 芝浦工業大学 工学部 電気工学 卒業
1980年 大阪大学 博士後期課程 工学研究科 電気工学
　
取得学位
工学博士 大阪大学
工学修士 大阪大学
　
所属学会
Electro Chemical Society , 応用物理学会 , IEEE , 電気学会
　
現在の専門分野
電子・電気材料工学 , 応用物性・結晶工学
　
現在の研究テーマ
CdTe X線γ線検出器 (CdTe X-ray and γ-ray detector)
MOVPE法によるCdZnTe成長と電気特性制御 (MOVPE Growth of CdZnTe and Doping Characteristics)
MOVPE法によるHgCdTeピタキシヤル成長と赤外線デバイスへの応用 (MOVPE Growth of HgCdTe 1ayers and its applocation to Infrared devices)
　
研究活動
  1. Growth Conditon of Iodine Doped n+-CdTe Layers in MOVPE<Extended Abstract,The2001 U.S. Workshop Phys. Chem. II-VI Materials (2001, Orlando) J. Electron. Materials (In Press)>(2001)
  2. MOVPE成長CdTe層へのヨウ素ドーピング特性<電子情報通信学会技報>(2001)
  3. MOVPE成長CdTe層へのヒ素ドーピング特性<電子情報通信学会技報>(2001)
  4. Growth and Characterization of cubic-CdS Layers on (100) GaAs in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy<J. Crystal Growth>(2001)
  5. Growth Characteristics of CdZnTe Layers in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy<J. Crystal Growth>(2000)
  6. Investigation of Non-Sulfide Blue Phosphors for FEDs<Extended Abstract , 6-th Intern. Conf. Science Technology on Display Phosphors(2000, San Diego)>(2000)
  7. Thin SiO2 Coating on ZnS Phosphors for Improved Low-voltage Cathodeluminescence Properties<J. Mater. Res.>(2000)
  8. Uniform and Continuous Y2O3 Coating on ZnS Phosphors<Materials Science and Engineering>(2000)
  9. MOVPE法によるGaAs(100)基板上CdSの成長特性<電子情報通信学会技報>(2000)
  10. Dry Etching Characteristics of CdTe Layers in ECR Plasma<Abstract IX-th Intern. Conf. II-VI Compound (1999, Kyoto)>(1999)
　
社会活動
新エネルギー・産業技術総合開発機構材料技術審議委員会専門委員(2001年-2003年)
　
受賞学術賞
永井学術賞(1993年)
　


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